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參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3116-ZJ
廠商: NEC Corp.
英文描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述: 開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 70K
代理商: 2SK3116-ZJ
Data Sheet D13339EJ2V0DS
7
2SK3116
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB (MP-25)
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3) TO-263 (MP-25ZJ)
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
4
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
05RTYP
08RTYP
2
EQUIVALENT CIRCUIT
Body
Diode
Source (S)
Drain (D)
Gate (G)
#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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