- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄222239 > 2SK3274(L) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK3274(L) |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SK3274(L) |
2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760A (Z)
Target Specification 2nd. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
R
DS = 40m typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3274(S) | |
| 2SK3418-E | 85 A, 60 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3451-01 | High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof |
| 2SK3461(L) | |
| 2SK3461(S) | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3274S | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Slilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3277 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワーMOS FET |
| 2SK327700L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3278 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| 2SK3279 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。