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參數資料
型號: 2SK3539
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon N-channel MOSFET
中文描述: 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 84K
代理商: 2SK3539
Silicon MOSFETs (Small Signal)
2SK3539
Silicon N-channel MOSFET
1
Publication date: January 2004
SJF00035BED
For switching
Features
High-speed switching
Wide frequency band
Gate protection diode built-in
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
1: Gate
2: Source
3: Drain
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain-source surrender voltage
V
DSS
I
D
=
10
μ
A, V
GS
=
0
V
DS
=
50
V, V
GS
=
0
V
GS
=
±
7 V, V
DS
=
0
I
D
=
1.0
μ
A, V
DS
=
3 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
2.5 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
4.0 V
I
D
=
10 mA, V
DS
=
3 V, f
=
1 kHz
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
50
V
Drain-source cutoff current
I
DSS
I
GSS
1.0
μ
A
μ
A
Gate-Source cutoff current
±
5.0
Gate threshold voltage
V
th
0.9
1.2
1.5
V
Drain-source ON resistance
R
DS(on)
8
15
6
12
Forward trancfer admitance
Y
fs
C
iss
20
60
mS
Short-circuit forward transfer
capacitance (Common source)
12
pF
Short-circuit output capacitance (Common source)
C
oss
C
rss
7
pF
Reverse transfer capacitance (Common source)
3
pF
Turn-on time
*
t
on
V
DD
=
3 V, V
GS
=
0 V to 3 V, R
L
=
470
V
DD
=
3 V, V
GS
=
3 V to 0 V, R
L
=
470
200
ns
Turn-off time
*
t
off
200
ns
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: t
on
, t
off
test circuit
V
OUT
470
Marking Symbol: 5F
V
DD
=
3 V
V
GS
=
3.0 V
50
1
μ
F
V
IN
90%
10%
10%
90%
V
OUT
t
on
t
off
2
±
0
1.3
±
0.1
0.3
+0.1
2.0
±
0.2
1
±
0
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
0
±
0
0
0
+
0.15
+0.10
5
10
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DS
50
V
Gate-source voltage (Drain open)
V
GSO
±
7
V
Drain current
I
D
I
DP
100
mA
Peak drain current
200
mA
Power dissipation
P
D
150
mW
Channel temperature
T
ch
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
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PDF描述
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