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參數(shù)資料
型號: 2SK3541T2L
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: VMT3, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 78K
代理商: 2SK3541T2L
2SK3541
Transistor
Rev.B
1/3
2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3541
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Applications
Interfacing, switching (30V, 100mA)
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
External dimensions (Unit : mm)
(1)Gate
(2)Source
(3)Drain
VMT3
(3)
0.32
0.8
1.2
0.13
0.5
0.22
0.4 0.4
1.2
0.8
0.2
(2)
(1)
Abbreviated symbol : KN
Packaging specifications
T2L
8000
2SK3541
Type
Package
Code
Basic ordering unit
(pieces)
Taping
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
VDSS
VGSS
PD2
Tch
30
V
mA
mW
°C
±20
±100
ID
IDP1
Continuous
Pulsed
mA
±400
150
Tstg
°C
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
1 Pw≤10s, Duty cycle≤1%
2 With each pin mounted on the recommended lands.
Equivalent circuit
Drain
Source
Gate
Gate
Protection
Diode
A protection diode is included between the gate
and the source terminals to protect the diode
against static electricity when the product is in use.
Use a protection circuit when the fixed voltages
are exceeded.
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PDF描述
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