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參數資料
型號: 2SK3550-01R
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 性病MOSFET的
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 113K
代理商: 2SK3550-01R
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-2
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0
10
1
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2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=60V
t
AV
[sec]
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0
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10
-1
10
0
10
1
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=t/T
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
Z
o
C
t [sec]
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
A
A
t
T
D=
t
T
相關PDF資料
PDF描述
2SK3555-01MR STD MOSFET
2SK356 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK358 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
2SK3581-01S Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3587-01MR MOSFETs
相關代理商/技術參數
參數描述
2sk3550-01rsc 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3554-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 250V;RDS(ON) 75 Milliohms;ID +/-37A;TO-220AB;PD 270W;-55
2SK3554-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3555-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3557-6-TB-E 功能描述:射頻JFET晶體管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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