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參數資料
| 型號： | 2SK3557 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Noise HF Amplifier Applications |
| 中文描述： | 低噪聲放大器應用高頻 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SK3557 |
2SK3557
No.7169-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Drain Current
Forward Transfer Admittance
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Noise Figure
IDSS
yfs
Ciss
Crss
NF
VDS=5V, VGS=0
VDS=5V, VGS=0, f=1kHz
VDS=5V, VGS=0, f=1MHz
VDS=5V, VGS=0, f=1MHz
VDS=5V, Rg=1k
, ID=1mA, f=1kHz
10*
24
32*
mA
mS
pF
pF
dB
35
10.0
2.9
1.0
*The 2SK3557 is classified by IDSS as follows : (unit : mA)
Rank
6
IDSS
10.0 to 20.0
7
16.0 to 32.0
ID -- VGS
IT04224
ID -- VGS
ITR02752
y
fs
-- ID
IT04225
y
fs
-- IDSS
IT04226
0
0
ID -- VDS
20
16
12
8
4
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
ITR02749
ID -- VDS
--0.1V
VGS=0
--0.2V
--0.3V
--0.4V
--0.5V
--0.6V
--0.7V
0
0
20
16
12
8
4
2
4
6
8
10
12
--0.1V
VGS=0
--0.2V
--0.3V
--0.4V
--0.5V
--0.6V
--0.7V
ITR02750
--1.4
--1.2
--1.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.2
0
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
2m
IDS0m
1m
1m
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.2
0
4
2
6
8
12
10
14
16
7
°
C
VDS=5V
IDSS=15mA
2
°
C
T=2
°
C
10
5
3
7
2
3
5
7
3
1.0
10
7
5
2
3
5
7
2
3
5
2
VDS=5V
f=1kHz
IDSS=15mA
30mA
7
10
2
3
5
10
2
3
5
7
100
VDS=5V
VDS=5V
VGS=0
f=1kHz
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
D
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D
Drain Current, ID -- mA
F
y
Drain Current, IDSS -- mA
F
y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3571-ZK | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3571 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3571-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3571-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3634 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3557-6-TB-E | 功能描述:射頻JFET晶體管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2SK3557-7-TB-E | 功能描述:MOSFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(Q,M) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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