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參數資料
| 型號： | 2SK3557 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Noise HF Amplifier Applications |
| 中文描述： | 低噪聲放大器應用高頻 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SK3557 |
2SK3557
No.7169-3/4
NF -- Rg
ITR02759
ITR02760
Crss -- VDS
IT04229
NF -- f
PD -- Ta
ITR02758
7
3
5
10
1.0
2
10
2
3
5
7
7
5
3
2
1.0
7
VDS=0
f=1MHz
10
8
6
4
2
0.01
2
0.1
1.0
10
100
0
3
5 7
2 3
Frequency, f -- kHz
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
VDS=5V
ID=1mA
Rg=1k
10
8
6
4
2
0.1
2
1.0
10
100
1000
0
3
5 7
Signal Source Resistance, Rg -- k
2 3
5 7
2 3
5 7
2 3
5 7
VDS=5V
ID=1mA
f=1kHz
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
60
80
100
120
140
160
0
240
200
160
120
80
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
R
N
N
A
IT04227
Ciss -- VDS
IT04228
VGS(off) -- IDSS
7
10
2
3
5
3
3
2
1.0
7
5
VDS=5V
ID=100
μ
A
7
2
3
5
7
2
3
3
3
1.0
10
10
5
7
2
VGS=0
f=1MHz
Drain Current, IDSS -- mA
C
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
I
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3571-ZK | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3571 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3571-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3571-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3634 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3557-6-TB-E | 功能描述:射頻JFET晶體管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2SK3557-7-TB-E | 功能描述:MOSFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(Q,M) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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