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參數資料
| 型號： | 2SK356 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 12A條（丁）|至3 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 2SK356 |
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0
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1
10
2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=60V
t
AV
[sec]
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-1
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0
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-1
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0
10
1
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=t/T
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
Z
o
C
t [sec]
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
A
A
t
T
D=
t
T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK358 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| 2SK3581-01S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3587-01MR | MOSFETs |
| 2SK3590-01 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3592-01L | STD LQg MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3561 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(Q,M) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3561(STA4,Q,M) | 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK3561Q | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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