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參數資料
| 型號： | 2SK3591 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET硅 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SK3591 |
3
2SK3591-01MR
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=40A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=20A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
Tch [
°
C]
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
μ
A
V
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
Vcc= 75V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
VSD [V]
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK897 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK897-MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 3.0SMCJ210C-T/R | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 3.0SMCJ100C-T/R | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 3.0SMCJ100CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3591-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3592-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3594-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 50 Milliohms;ID +/-45A;TO-220AB;PD 270W |
| 2SK3594-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3595-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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