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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK381-11-A |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2SK381-11-A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK381-T11-C | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK381-11-E | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK381-T11-D | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3813-Z | 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK3815 | 23 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3812-ZP-A E2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3812-ZP-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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