型號: | 2SK3815 |
廠商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 23 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | SMP, 3 PIN |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 59K |
代理商: | 2SK3815 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK3816-TL | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3817 | 60 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3820-TL | 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3820 | 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3824 | 60 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SK3815-DL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 23A SOT404 |
2SK3816-DL-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NCH 4V DRIVE SERIES |
2SK3816-DL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK3817-DL-E | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2SK3818-DL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 60V 74A 0.013 rlo?ec Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 74A SOT404 制造商:Sanyo 功能描述:0 |