型號: | 2SK3831 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | 2SK3831 |
中文描述: | 2SK3831 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 60K |
代理商: | 2SK3831 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK386 | 2SK386 |
2SK3870-01 | TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT23 |
2SK3871-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
2SK3875-01 | FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SK3842(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2SK3844(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2SK3845(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2SK3846(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 40V 26A TO220NIS |
2SK3847(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |