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參數資料
| 型號： | 2SK3989-01MR |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | 2SK3989-01MR |
1
TO-220F
Item
Symbol
Ratings
Unit
Remarks
Drain-source voltage
VDS
600
VDSX
600
Continuous drain current
ID
3.0
Pulsed drain current
ID(puls]
±12.0
Gate-source voltage
VGS
±30
Repetitive or non-repetitive
IAR
3.0
Non-repetitive
Maximum avalanche energy
EAS
237.3
Repetitive
Maximum avalanche energy
EAR
2.1
Maximum drain-source dV/dt
dVDS/dt
20
Peak diode recovery dV/dt
dV/dt
5
Max. power dissipation
PD
21
2.16
Operating and storage
Tch
+150
temperature range
Tstg
Isolation voltage
VISO
2
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)
Thermalcharacteristics
2SK3989-01MR FUJI POWER MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators
DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Test Conditions
Zero gate voltage drain current
IDSS
VDS=600V VGS=0V
VDS=480V VGS=0V
VGS=±30V
ID=1.5A
VGS=10V
ID=1.5A
VDS=25V
VCC=300V ID=1.5A
VGS=10V
RGS=10
Ω
V
μA
nA
Ω
S
pF
nC
V
μs
μC
ns
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal resistance
Rth(ch-c)
channel to case
Rth(ch-a)
channel to ambient
5.952
58.0
°C/W
Symbol
BVDSS
VGS(th)
IGSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
VSD
trr
Qrr
Item
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Forward transcondutance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time ton
Turn-off time toff
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Diode forward on-voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Test Conditions
ID= 250μA
VGS=0V
ID= 250μA
VDS=VGS
Tch=25°C
Tch=125°C
VDS=0V
VDS=25V
VGS=0V
f=1MHz
VCC=300V
ID=3.0A
VGS=10V
IF=3.0A VGS=0V Tch=25°C
IF=3.0A VGS=0V
-di/dt=100A/μs Tch=25°C
V
A
V
A
mJ
kV/μs
W
°C
kVrms
600
3.0
5.0
25
250
100
2.64
3.30
1.5
3.0
330
500
50
75
2.5
5.0
11
18
5.0
7.5
23
35
10
15
13
20
5.5
8.5
2.8
4.2
1.00
1.50
0.5
2.3
-55 to +150
Equivalent circuit schematic
Gate(G)
Source(S)
Drain(D)
Super FAP-G Series
200511
=
<
VGS=-30V
Note *1
Note *2
Note *3
VDS 600V
Note *4
Tc=25°C
Ta=25°C
t=60sec, f=60Hz
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
=
<
Note *1 Tch 150°C
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.2A, L=302mH, VCC=60V, RG=50
Ω
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.
See to ‘Avalanche Energy’ graph.
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C
=
<
=
<
=
<
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