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參數資料
| 型號： | 2STA1943 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC08810, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 2STA1943 |
December 2007
Rev 2
1/9
9
Features
■ High breakdown voltage VCEO > -230V
■ Complementary to 2STC5200
■ Fast-switching speed
■ Typical fT = 30 MHz
Application
■ Audio power amplifier
Description
This device is a NPN transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Figure 1.
Internal schematic diagram
Table 1.
Device summary
TO-264
1
2
3
Order code
Marking
Package
Packaging
2STA1943
TO-264
Tube
2STA1943
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STC5200 | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2STA1962 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2120 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2121 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2510 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STB121PM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRIVE IC |
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