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參數資料
| 型號： | 2STN1360 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | 2STN1360 |
October 2009
Doc ID 11783 Rev 2
1/11
11
2STD1360
2STF1360 - 2STN1360
Low voltage fast-switching NPN power transistors
Features
■ Very low collector-emitter saturation voltage
■ High current gain characteristic
■ Fast-switching speed
Applications
■ Emergency lighting
■ LED
■ Voltage regulation
■ Relay drive
Description
The devices are NPN transistors manufactured
using new “PB-HDC” (power bipolar high density
current) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP types are the
2STD2360T4, the 2STF2360 and the 2STN2360.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-252 (DPAK)
4
3
2
1
2
4
3
1
3
SOT-223
SOT-89
TAB
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Packages
Packaging
2STD1360T4
D1360
DPAK
Tape and reel
2STF1360
1360
SOT-89
Tape and reel
2STN1360
N1360
SOT-223
Tape and reel
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2STF1550 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SU424 | 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2STN1550 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2340 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2360 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Bipolar Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor |
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