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參數(shù)資料
型號(hào): 30CTH02STRLPBF
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 292K
代理商: 30CTH02STRLPBF
4
30CTH02, 30CTH02S, 30CTH02-1, 30CTH02FP
Bulletin PD-20768 rev. C
09/04
www.irf.com
Fig. 6 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
Fig. 7 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current (FULLPACK)
Average Forward Current - I
F(AV)
(A)
A
Average Forward Current - I
F(AV)
(A)
Fig. 5 - Max. Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics (FULLPACK)
t
1
, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
t
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
Average Forward Current - I
F
(AV)
(A)
A
(2)
Formula used: T
C
= T
J
- (Pd + Pd
REV
) x R
thJC
;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV)
x V
FM
@ (I
F(AV)
/
D)
(see Fig. 8);
Pd
REV
= Inverse Power Loss = V
R1
x I
R
(1 - D);
I
R
@ V
R1
= rated V
R
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
DC
RMS Limit
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
140
150
160
170
180
0
5
10
15
20
25
DC
see note (2)
Square wave (D = 0.50)
Rated Vr applied
100
110
120
130
140
150
160
170
180
0
5
10
15
20
25
DC
see note (2)
Square wave (D = 0.50)
Rated Vr applied
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
30CTQ045-1PBF 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
30CTQ045SPBF 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
30CTQ050STRRPBF 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
30CTQ060STRL 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
30CTQ060STRR 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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30CTH03PBF_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Hyperfast Rectifier, 2 x 15 A FRED Pt
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