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參數資料
型號: 4AM16
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列)
中文描述: 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET陣列(不適用溝道/頁溝道功率MOSFET的陣列)
文件頁數: 2/7頁
文件大小: 48K
代理商: 4AM16
4AM16
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Ratings
Item
Symbol
Nch
Pch
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
–60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
8–8
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
32
–32
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
8–8
A
Channel dissipation
Pch (Tc = 25°C)*
2
28
W
Pch*
2
4.0
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. 4 Device Operation
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PDF描述
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