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參數資料
| 型號： | 6A6 |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6 Amp Rectifier 50 - 1000 Volts |
| 中文描述： | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, R-6, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 6A6 |
6A05
THRU
6A10
6 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
R-6
Features
Low Cost
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
Low Leakage
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Storage Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Maximum Thermal Resistance; 10
°
C/W Junction To Ambient
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.340
.340
.048
1.000
MM
DIM
A
B
C
D
MAX
.360
.360
.052
---
MIN
8.60
8.60
1.20
25.40
MAX
9.10
9.10
1.30
---
NOTE
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
6A05
6A1
6A2
6A4
6A6
6A8
6A10
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
*Pulse test: Pulse width 300
μ
sec, Duty cycle 1%
I
F(AV)
6.0A
T
A
= 60
°
C
I
FSM
400A
8.3ms, half sine
V
F
0.95V
I
FM
= 6.0A;
T
J
= 25
°
C*
I
R
10
μ
A
100
μ
A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
C
J
150pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
A
B
D
D
C
Cathode
Mark
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A8 | 6 Amp Rectifier 50 - 1000 Volts |
| 6A595 | 8-BIT SERIAL-INPUT, DMOS POWER DRIVER |
| 6AM11 | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
| 6AM12 | Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
| 6AM13 | Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 6A60 | 功能描述:整流器 6A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 6A60 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
| 6A60G | 功能描述:整流器 6.0 Amp 600 Volt 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 6A60G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:700 |
| 6A60G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6，軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 |
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