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參數資料
| 型號： | 6MBI75U2A-060 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT module |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數： | 10/13頁 |
| 文件大小： | 790K |
| 代理商： | 6MBI75U2A-060 |
H04-004-03a
MS5F 5743
13
10
Vcc=300V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 125°C
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 47
,Tj <= 125°C
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=47
, Tj= 25°C
Vcc=300V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj= 25°C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=47
, Tj=125°C
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=47
10
100
1000
0
40
80
120
S
Collector current : Ic [ A ]
tr
tf
toff
ton
10
100
1000
0
40
80
120
S
Collector current : Ic [ A ]
tr
tf
toff
ton
10
100
1000
10000
10.0
100.0
1000.0
S
Gate resistance : Rg [
]
tr
tf
toff
ton
0
2
4
6
8
0
30
60
90
120
150
S
Collector current : Ic [ A ]
Eon(125
℃
)
Eon(25
℃
)
Eoff(125
℃
)
Eoff(25
℃
)
Err(125
℃
)
Err(25
℃
)
0
5
10
15
20
25
10.0
100.0
1000.0
S
Gate resistance : Rg [
]
Eoff
Err
Eon
0
50
100
150
200
0
200
400
600
800
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI75U4A-120 | IGBT MODULE |
| 6MBI8F-120 | IGBT(1200V 8A) |
| 6MBI8L-120 | IGBT(1200V 8A) |
| 6MBP100NA060-01 | IGBT-IPM |
| 6MBP150RTB060 | Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: EFP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 6MBI75U4B-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:6-PACK IGBT MODULE 75A 1200V |
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