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參數資料
| 型號： | 6MBI75U2A-060 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT module |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-28 |
| 文件頁數： | 9/13頁 |
| 文件大小： | 790K |
| 代理商： | 6MBI75U2A-060 |
H04-004-03a
MS5F 5743
13
9
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V
，
Ic=75A
，
Tj= 25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=150A
Ic= 75A
Ic= 37.5A
0.01
0.10
1.00
10.00
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
C
Gate charge : Qg [ nC ]
VGE
VCE
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI75U4A-120 | IGBT MODULE |
| 6MBI8F-120 | IGBT(1200V 8A) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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