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參數資料
| 型號： | 72399 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 72399 |
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated
New PowerPAK Package
Low Thermal Resistance, R
thJC
Low 1.07-mm Profile
APPLICATIONS
Load Switch
Si7411DN
Vishay Siliconix
Document Number: 72399
S-40763—Rev. C, 19-Apr-04
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.019 @ V
GS
=
4.5 V
11.4
20
0.025 @ V
GS
=
2.5 V
9.9
0.034 @ V
GS
=
1.8 V
8.5
P-Channel MOSFET
D
G
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK 1212-8
Bottom View
Ordering Information: Si7411DN-T1—E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
11.4
7.5
T
A
= 85 C
8.2
5.4
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
3
1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.6
1.5
W
T
A
= 85 C
1.9
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
28
35
Steady State
65
81
C/W
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R
thJC
2.9
3.8
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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