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參數資料
型號: 934056928115
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 射頻混頻器
英文描述: SILICON, MIXER DIODE
封裝: ULTRA SMALL, PLASTIC, SMD, UFP, SC-79, 2 PIN
文件頁數: 3/8頁
文件大小: 49K
代理商: 934056928115
2002 Apr 08
3
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diode
1PS79SB63
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulse test: pulse width = 300
s; δ = 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD523 (SC-79) standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see Fig.2
IF = 0.1 mA
160
200
mV
IF = 1 mA
240
300
mV
IR
continuous reverse current
see Fig.3
VR = 1 V
0.4
1
A
VR = 5 V; note 1
50
A
Cd
diode capacitance
VR = 0 V; f = 1 MHz; see Fig.4
0.35
0.5
pF
Ls
series inductance
0.6
nH
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to
ambient
note 1
450
K/W
相關PDF資料
PDF描述
934056951118 9 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
934056953315 50 V, SILICON, PIN DIODE
934057033115 VHF BAND, 40.65 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
93415/BEAJC 1K X 1 STANDARD SRAM, 60 ns, CDIP16
93415/BFAJC 1K X 1 STANDARD SRAM, 60 ns, CDFP16
相關代理商/技術參數
參數描述
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