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AOB2904

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOB2904
    AOB2904

    AOB2904

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 50008

  • YXYBDT臺灣

  • TO-263

  • 2024+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • AOB2904
    AOB2904

    AOB2904

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
AOB2904 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • TO-263(D2Pak)
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 標準包裝
  • 800
AOB2904 技術參數
  • AOB288L 功能描述:MOSFET N CH 80V 10.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.5A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1871pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB286L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 13A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3142pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB284L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 16A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5154pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB282L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):178nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7765pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB280L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20.5A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11135pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418 AOB4184 AOB42S60L AOB440 AOB442 AOB462L AOB470L AOB480L AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L
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