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AON7200_101

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  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 價格
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  • 操作
  • AON7200_101
    AON7200_101

    AON7200_101

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 38455

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 8-PowerVDFN

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AON7200_101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 最後搶購
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 15.8A(Ta),40A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 20nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 1300pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 3.1W(Ta),62W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 8 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN-EP(3x3)
  • 封裝/外殼
  • 8-VDFN 裸露焊盤
  • 標準包裝
  • 5,000
AON7200_101 技術參數
  • AON7200 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15.8A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x3) 標準包裝:1 AON7140 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3350pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 封裝/外殼:8-PowerWDFN 標準包裝:3,000 AON6998 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A,26A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP(5x6) 標準包裝:1 AON6996 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A,60A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:3,000 AON6994 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A,26A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP(5x6) 標準包裝:1 AON7240 AON7242 AON7244 AON7246 AON7246_101 AON7246E AON7254 AON7262E AON7264E AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101
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