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AON9

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  • AON9028GE
    AON9028GE

    AON9028GE

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • ALPHA

  • DFN

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • AON9028GE
    AON9028GE

    AON9028GE

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 4800

  • SONY

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現貨庫存!400-800-030...

  • AON9028GE
    AON9028GE

    AON9028GE

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 16890

  • AOS

  • DFN6

  • 假一賠十!

  • -
  • 絕對原裝現貨!!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
AON9 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AON9 技術參數
  • AON7934 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A,15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.2 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):485pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 標準包裝:1 AON7932_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.6A,8.1A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN(3x3) 標準包裝:1 AON7932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.6A,8.1A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 6.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3x3) 標準包裝:1 AON7902 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A,13A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 AON7900 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A,13A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP(3.3x3.3) 標準包裝:1 AORN10-1AT5 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L
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