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AONR21321

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AONR21321
    AONR21321

    AONR21321

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 50000

  • AOS

  • DFN3X3

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • AONR21321
    AONR21321

    AONR21321

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

  • 5000

  • HXY MOSFET華軒陽電子

  • con

  • 24+

  • -

  • 優勢庫存，原裝正品

  • AONR21321
    AONR21321

    AONR21321

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 99000

  • AOS/萬代

  • DFN3X3

  • 22+

  • -

  • 只做原裝現貨/實單可談

  • AONR21321
    AONR21321

    AONR21321

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質：營業執照

  • 5000

  • HXY MOSFET華軒陽電子

  • con

  • 24+

  • -

  • 優勢庫存，原裝正品

  • AONR21321
    AONR21321

    AONR21321

  • 東莞鼎岑科技有限公司
    東莞鼎岑科技有限公司

    聯系人：莫

    電話：18925581989

    地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室

  • 20000

  • AOS

  • DFN

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AONR21321 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
AONR21321 技術參數
  • AON7934 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A，15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3） 標準包裝:1 AON7932_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN（3x3） 標準包裝:1 AON7932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3x3） 標準包裝:1 AON7902 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A，13A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3） 標準包裝:5,000 AON7900 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A，13A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3） 標準包裝:1 AORN10-1AT5 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L
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