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AOTF10N60CL

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操作

AOTF10N60CL
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
25+
-
國產品牌，替代進口

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1

您是不是要找： AOTF10N60L_002 AOTF10N65 AOTF10N90 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60

AOTF10N60CL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AOTF10N60CL 技術參數

AOTF10N60_006 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1 AOTF10N60_003 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1 AOTF10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF10N50FD_001 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1 AOTF10N50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L AOTF12N30 AOTF12N50 AOTF12N60 AOTF12N60FD AOTF12N60FD_001 AOTF12N60L AOTF12N65