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AOWF410

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    AOWF410

    AOWF410

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-262

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AOWF410 技術參數
  • AOWF296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):37A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2785pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):26W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-262F 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 標準包裝:50 AOWF2606 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262F 標準包裝:1,000 AOWF25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1278pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3510pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):199 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL
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