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APT15GP90BDQ1,APT15GP90K

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APT15GP90BDQ1,APT15GP90K 技術(shù)參數(shù)
  • APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,15A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:130μJ(開(kāi)),121μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V,15A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,15A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:130μJ(開(kāi)),121μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V,15A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,15A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:130μJ(開(kāi)),120μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V,15A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,15A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:130μJ(開(kāi)),121μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V,15A,5 歐姆,15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,15A 功率 - 最大值:195W 開(kāi)關(guān)能量:410μJ(開(kāi)),950μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:10ns/150ns 測(cè)試條件:800V,15A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK
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