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APT25GR120S

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型號
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批號
價格
說明
操作

APT25GR120S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

APT25GR120S
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
52
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT25GR120S
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT25GR120SSCD10
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
49243
Microsemi Corporation
TO-268-3, D魯Pak (2 L
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT25GR120S
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APT25GR120S
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
140
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APT25GR120SD15
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT25GR120S 技術參數

APT25GR120BSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關能量:434μJ（開），466μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關能量:742μJ（開），427μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關能量:742μJ（開），427μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:370μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:370μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J

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