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APT30GN60BDQ2G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT30GN60BDQ2G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
18210
MICROSEMI
Standa..
24+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

APT30GN60BDQ2G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT30GN60BDQ2G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

APT30GN60BDQ2G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7925
MICROSE
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共23條
1

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APT30GN60BDQ2G PDF下載

功能描述
IGBT 600V 63A 203W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列
-
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT30GN60BDQ2G 技術(shù)參數(shù)

APT30GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:40μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.85nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:40μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.85nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT30F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:115nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4525pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:415W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT30F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4525pF @ 25V 功率 - 最大值:415W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GT60BRG APT30GT60KRG APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B