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APT30SCD120S

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT30SCD120S
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT30SCD120S
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world， A棟2203A
70138
Microsemi Corporation
TO-268-3, D魯Pak (2 L
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

APT30SCD120S
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現(xiàn)貨電話010-6210493...

APT30SCD120S
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
40
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV

APT30SCD120S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APT30SCD120S PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT30SCD120S 技術(shù)參數(shù)

APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:0ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2100pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:55ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT30S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:55ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30S20BCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 45A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:45A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:55ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 安裝類型:通孔，徑向封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30N60KC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 960μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK