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APT34F100L

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT34F100LMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-264
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT34F100L
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

APT34F100L
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-3PL/TO-264
25+
-
國產品牌，替代進口

APT34F100L
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業(yè)執(zhí)照
119
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT34F100L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
MICROSEMI
TO-264
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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APT34F100L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT34F100L PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT34F100L 技術參數(shù)

APT34F100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT33N90JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT33N90JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:270nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V FET 功能:超級結功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關能量:1.315mJ（開），1.515mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L