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APT36N90BC3G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT36N90BC3G
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
96
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT36N90BC3G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Microsemi
TO-247
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT36N90BC3G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
43876
Microsemi Corporation
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT36N90BC3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT36N90BC3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
350
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共23條
1

您是不是要找： APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6

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APT36N90BC3G PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
CoolMOS™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT36N90BC3G 技術參數

APT36GA60BD15 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):109A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:290W 開關能量:307μJ（開），254μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:18nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT36GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):109A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:290W 開關能量:307μJ（開），254μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:102nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT35GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.53nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT35GT120JU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.53nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT35GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.24nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2