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APT35GP120BG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT35GP120BG
    APT35GP120BG

    APT35GP120BG

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 43

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • APT35GP120BG
    APT35GP120BG

    APT35GP120BG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MICROSE

  • TO-247

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理,原裝正品現(xiàn)貨!!

  • APT35GP120BGMI
    APT35GP120BGMI

    APT35GP120BGMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • APT35GP120BG
    APT35GP120BG

    APT35GP120BG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT35GP120BG
    APT35GP120BG

    APT35GP120BG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • APT35GP120BG
    APT35GP120BG

    APT35GP120BG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原裝封裝

  • 0733(vc7

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
APT35GP120BG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 96A 543W TO247
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • POWER MOS 7®
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開)
  • 3V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT35GP120BG 技術(shù)參數(shù)
  • APT35GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):140A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,35A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:750μJ(開),680μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:150nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:16ns/95ns 測(cè)試條件:600V,35A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 功率 - 最大值:379W 開關(guān)能量:2.315mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:24ns/300ns 測(cè)試條件:800V,35A,2.2 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GN120BG 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 功率 - 最大值:379W 開關(guān)能量:2.315mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:24ns/300ns 測(cè)試條件:800V,35A,2.2 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.1V @ 15V,18A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:642μJ(開),382μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:84nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/104ns 測(cè)試條件:600V,18A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.1V @ 15V,18A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:642μJ(開),382μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:84nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/104ns 測(cè)試條件:600V,18A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG
配單專家

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免責(zé)聲明:以上所展示的APT35GP120BG信息由會(huì)員自行提供,APT35GP120BG內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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