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APT30M36B2FLLG

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • APT30M36B2FLLG
    APT30M36B2FLLG

    APT30M36B2FLLG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3 Variant

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APT30M36B2FLLG
    APT30M36B2FLLG

    APT30M36B2FLLG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • T-MAX

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • APT30M36B2FLLG
    APT30M36B2FLLG

    APT30M36B2FLLG

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • APTMICROSEMI

  • TO-247

  • 新年份

  • -
  • 一級代理全新原裝現貨特價!

  • APT30M36B2FLLG
    APT30M36B2FLLG

    APT30M36B2FLLG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER FREDFET - MOS7 - Rail/Tube
APT30M36B2FLLG 技術參數
  • APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):975nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):975nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 開關能量:525μJ(開),600μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:145nC 25°C 時 Td(開/關)值:12ns/225ns 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 開關能量:525μJ(開),600μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:145nC 25°C 時 Td(開/關)值:12ns/225ns 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 功率 - 最大值:250W 開關能量:80μJ(開),605μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:7.5nC 25°C 時 Td(開/關)值:12ns/225ns 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK
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