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APT41H50B

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  • APT41H50B
    APT41H50B

    APT41H50B

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • APTMICROSEMI

  • TO-247..

  • 23+

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  • APT41H50B
    APT41H50B

    APT41H50B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-247B

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  • APT41H50B
    APT41H50B

    APT41H50B

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • APT

  • TO-247 [B]

  • 09/10+

  • -
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  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET
APT41H50B 技術參數(shù)
  • APT41F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):41A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT40SM120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):41A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT40SM120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40SM120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):41A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT40N60JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40
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