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APT45GP120JDF2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT45GP120JDF2
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT45GP120JDF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13508
APT
直插/貼片
2024+
-
代理原裝現貨假一賠十

APT45GP120JDF2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT45GP120JDF2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40

APT45GP120JDF2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT45GP120JDF2 技術參數

APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.94nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關能量:900μJ（開），904μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/102ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:113A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 開關能量:900μJ（開），905μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:185nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/100ns 測試條件:600V，45A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關能量:409μJ（開），450μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/102ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT44GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 開關能量:409μJ（開），258μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:128nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/84ns 測試條件:400V，26A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG