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APT60D100S

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說明
操作

APT60D100S
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT60D100S
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT60D100SG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT60D100SG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
2000
APT
標準封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT60D100S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

APT60D100SG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APT60D100S
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13904
APT
直插/貼片
2024+
-
絕對現貨

APT60D100S
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 1KV 60A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
APT60D100S - Bulk

APT60D100S 技術參數

APT60D100LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:280ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT60D100BG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 60A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:280ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT6040BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT6030BN 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 11.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG APT60DQ60BG APT60DS04HJ APT60DS10HJ APT60DS20HJ APT60GA60JD60 APT60GF120JRDQ3 APT60GF60JU2

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