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APT60M80JVR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT60M80JVR
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT60M80JVR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13960
APT
直插/貼片
2025+
-
代理商庫房現貨

APT60M80JVR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

APT60M80JVR
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
91565
Microsemi Corporation
SOT-227-4, miniBLOC
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT60M80JVR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共19條
1

您是不是要找： APT60M80L2VRG APT60N60BCSG APT60N60SCSG APT60N60SCSG/TR APT60S20B2CTG APT60S20BG APT60S20SG APT60S20SG/TR APT64GA90B

APT60M80JVR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT60M80JVR PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
POWER MOS V®
標準包裝
10
系列
*

APT60M80JVR 技術參數

APT60M75L2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 36.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:264 MAX? [L2] 標準包裝:1 APT60M75L2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 36.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:264 MAX? [L2] 標準包裝:1 APT60M75JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1050nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT60M75JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 31A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1050nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT60M75JLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B