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APT75GN60B2DQ3G

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批號
價格
說明
操作

APT75GN60B2DQ3G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Microsemi
TO264
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT75GN60B2DQ3G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
47274
Microsemi Corporation
TO-264-3, TO-264AA
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共11條
1

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APT75GN60B2DQ3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT75GN60B2DQ3G PDF下載

功能描述
IGBT 600V 155A 536W TO264
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
-
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT75GN60B2DQ3G 技術參數

APT75GN120LG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 開關能量:8620μJ（開），11400μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:425nC 25°C 時 Td（開/關）值:60ns/620ns 測試條件:800V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT75GN120JDQ3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT75GN120JDQ3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT75GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT75GN120B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 開關能量:8045μJ（開），7640μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:425nC 25°C 時 Td（開/關）值:60ns/620ns 測試條件:800V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG