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APT7M120S

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT7M120S
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-263-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT7M120S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

APT7M120S
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

1/1頁 40條/頁共6條
1

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APT7M120S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT7M120S PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

APT7M120S 技術參數

APT7M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2565pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT7F80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1335pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT7F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2565pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT7F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT77N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:77A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 44.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60