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APT97N65LC6

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT97N65LC6
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-3PL/TO-264
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

APT97N65LC6
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
33468
Microsemi Corporation
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

APT97N65LC6
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
34323
Microchip / Microsemi
TO-264-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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您是不是要找： APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC

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APT97N65LC6 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
CoolMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT97N65LC6 技術(shù)參數(shù)

APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):上次購買時間 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:446W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:29ns/226ns 測試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:208A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):400A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:892W 開關(guān)能量:3.12mJ（開），2.55mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:29ns/226ns 測試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N65B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:95A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 35.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:320nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8140pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT94N65B2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:94A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.8mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:580nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13940pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N60L2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 94A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:94A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:640nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:264 MAX? [L2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG