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APTB1612LQBDCGKC

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTB1612LQBDCGKC
    APTB1612LQBDCGKC

    APTB1612LQBDCGKC

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 39450

  • Kingbright

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTB1612LQBDCGKC PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • Blue, Green 465nm Blue, 570nm Green LED Indication - Discrete 2.7V Blue, 1.9V Green 4-SMD, No Lead
  • 制造商
  • kingbright
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 有效
  • 顏色
  • 藍,綠
  • 透鏡顏色
  • 無色
  • 透鏡透明度
  • 透明
  • 毫燭光等級
  • 12mcd 藍,3mcd 綠
  • 透鏡樣式/尺寸
  • 矩形,帶平頂,1.20mm x 1.25mm
  • 電壓 - 正向(Vf)(典型值)
  • 2.7V 藍,1.9V 綠
  • 電流 - 測試
  • 2mA 藍,2mA 綠
  • 視角
  • 120°
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 波長 - 主
  • 465nm 藍,570nm 綠
  • 波長 - 峰值
  • 460nm 藍,574nm 綠
  • 特性
  • -
  • 封裝/外殼
  • 4-SMD,無引線
  • 供應商器件封裝
  • 4-SMD
  • 大小/尺寸
  • 1.60mm 長 x 1.25mm 寬
  • 高度(最大值)
  • 0.85mm
  • 標準包裝
  • 2,000
APTB1612LQBDCGKC 技術參數
  • APTB1612ESGC-F01 功能描述:Green, Red 568nm Green, 617nm Red LED Indication - Discrete 2.2V Green, 2V Red 0605 (1613 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 顏色:綠,紅 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:12mcd 綠,7mcd 紅 透鏡樣式/尺寸:矩形,帶平頂,1.20mm x 1.25mm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.2V 綠,2V 紅 電流 - 測試:20mA 綠,20mA 紅 視角:120° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:568nm 綠,617nm 紅 波長 - 峰值:565nm 綠,627nm 紅 特性:- 封裝/外殼:0605(1613 公制) 供應商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 長 x 1.25mm 寬 高度(最大值):0.65mm 標準包裝:1 APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):97A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 48.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:446W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td(開/關)值:29ns/226ns 測試條件:433V,95A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G APTC60AM45B1G APTC60AM45BC1G
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