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APT75DL60HJ

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT75DL60HJ
    APT75DL60HJ

    APT75DL60HJ

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • ISOTOP,SOT-227

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • APT75DL60HJ
    APT75DL60HJ

    APT75DL60HJ

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 40334

  • Microsemi Corporation

  • SOT-227-4, miniBLOC

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
APT75DL60HJ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module
APT75DL60HJ 技術參數
  • APT75DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向(最大值):1200V 電流 - DC 正向(If):75A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向(最大值):1700V 電流 - DC 正向(If):75A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K
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