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APTC90H12T1G

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數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTC90H12T1G
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
29129
Microsemi Corporation
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET TRANSISTOR

APTC90H12T1G 技術參數(shù)

APTC90H12SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC90DSK12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90DDA12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90DAM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90DAM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超級結功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK