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APTGLQ75H65T1G

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  • APTGLQ75H65T1G
    APTGLQ75H65T1G

    APTGLQ75H65T1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -
  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTGLQ75H65T1G
    APTGLQ75H65T1G

    APTGLQ75H65T1G

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號(hào)樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -
  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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  • 1
APTGLQ75H65T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Power Module - IGBT
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGLQ75H65T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,600A 電流 - 集電極截止(最大值):600μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):36.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ50VDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ50TL65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:三級(jí)反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG
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