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APTGLQ80HR120CT3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGLQ80HR120CT3G
    APTGLQ80HR120CT3G

    APTGLQ80HR120CT3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTGLQ80HR120CT3G
    APTGLQ80HR120CT3G

    APTGLQ80HR120CT3G

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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  • 1
APTGLQ80HR120CT3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • 溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 1200V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 150A
  • 功率 - 最大值
  • 500W
  • 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
  • 2.4V @ 15V，80A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 150μA
  • 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
  • 4.6nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 是
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • SP3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTGLQ80HR120CT3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:600μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:36.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ50VDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G
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