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APTM20DUM05TG

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  • APTM20DUM05TG
    APTM20DUM05TG

    APTM20DUM05TG

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 62669

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTM20DUM05TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP8
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM20DUM05TG 技術參數
  • APTM20DUM05G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):317A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 158.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):448nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DUM04G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):372A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 186A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28900pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DHM20TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):89A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 44.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):112nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6850pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DHM16TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):104A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DHM16T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):104A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG
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