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APTM50DAM35TG

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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50DAM35TG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
92411
Microsemi Corporation
SP4
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM50DAM35TG 技術參數

APTM50DAM19G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:163A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 81.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50DAM17G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50AM70FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10800pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM50AM38STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50AM38SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG APTM50HM38FG APTM50HM65FT3G APTM50HM65FTG APTM50HM75FT3G APTM50HM75FTG APTM50HM75SCTG APTM50HM75STG